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標(biāo)簽：IBM，芯片，
IBM及其合作伙伴已開發(fā)出新的5nm測試芯片，其具有新的制造工藝的優(yōu)點(diǎn)。包含約300億個(gè)晶體管的新芯片是通過堆疊硅納米片來創(chuàng)建的。它能夠在設(shè)備上提供幾乎兩倍的電池存儲，并顯著提高性能。
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IBM與研發(fā)聯(lián)盟的合作伙伴一起開發(fā)了一種新的5nm芯片，與目前市場上可用的10nm芯片相比，在相同的功率下將性能提高了40%。
這一次，IBM并沒有去用FinFET(鰭場效應(yīng))制造，而是堆疊硅納米片作為晶體管的器件結(jié)構(gòu)，被稱為GAA(全包圍柵極)晶體管。在5nm指甲尺寸的測試芯片裝了300億個(gè)晶體管。
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他們使用的方法稱為極紫外光刻(EUV)。兩年前，他們使用相同的方法創(chuàng)建了一個(gè)具有200億個(gè)晶體管的7nm測試節(jié)點(diǎn)。
除了設(shè)備尺寸縮小之外，這些仍然遠(yuǎn)未被商業(yè)化的芯片可以幫助我們?yōu)镮oT設(shè)備實(shí)現(xiàn)更美好的未來，加速認(rèn)知計(jì)算，增強(qiáng)基于云的應(yīng)用，并且可能是移動設(shè)備電池輸出的兩倍。
根據(jù)IBM的說法，他們最新的進(jìn)展，為具有高于基于FinFET性能的堆疊納米芯片裝置打開了方便之門，已經(jīng)成功地證明了這種設(shè)備的可行性。
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IBM指出，“使用EUV光刻技術(shù)，可以在單個(gè)制造處理器芯片設(shè)計(jì)中連續(xù)調(diào)整納米片的寬度。這種可調(diào)性允許對特定電路的性能和功耗進(jìn)行微調(diào)，這在今天的FinFET晶體管架構(gòu)生產(chǎn)中是不可能的，這受到其載流鰭片高度的限制。”
IBM認(rèn)為目前的FinFET技術(shù)對于創(chuàng)建5nm芯片而言效率低下。
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