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標(biāo)簽：
一個(gè)64位段分布在所有四個(gè)DIMM上，使用所有DRAM設(shè)備。
到內(nèi)存的前端總線為64位寬。內(nèi)存控制器在64位數(shù)據(jù)片里“處理”。數(shù)據(jù)沿著常規(guī)的64位數(shù)據(jù)通道與內(nèi)存子系統(tǒng)雙向傳輸。
在內(nèi)存子系統(tǒng)里，數(shù)據(jù)通道寬度為256位。內(nèi)部寬通道和復(fù)雜的內(nèi)存控制器以及電路板布線幫助把數(shù)據(jù)分布到許多DRAM設(shè)備。
交叉存放SDRAM性能包含：
在內(nèi)存子系統(tǒng)里，通道寬度為256位。因此，可能在100MHz時(shí)，內(nèi)存子系統(tǒng)能以每秒3.2GＢ的速度處理數(shù)據(jù)。
在許多內(nèi)存設(shè)備上位的分配也能提高順序存放訪問(wèn)的功能，因?yàn)樗形锢碓O(shè)備同時(shí)讀取數(shù)據(jù)。
交叉存放的不利之處在于，更費(fèi)電，要插入四套設(shè)備，更多干擾，而且沒(méi)有機(jī)會(huì)隱藏刷新。
雖然如此，交叉存放到目前為止是最常見的服務(wù)器內(nèi)存結(jié)構(gòu)。
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